記憶體每一個bank只有一個buffer，讀寫都要透過這個buffer來進行，這個buffer只能裝載記憶體的一行，也叫page。
存在buffer中的行的狀態稱為page opened，而同一bank其他行的狀態稱為page closed。
如果到來的命令正好是存取當前open狀態的行，那麽這叫page hit，只需要一個cas命令(列選擇，既讀或者寫）即可完成操作。
如果所有行處於close狀態，這叫page miss，需要先發一個ras命令，也叫active命令，行選擇。然後再發cas命令完成操作。
如果當前存取的行和open狀態的行不是同一行，那麽這叫page conflict。需要先發一個pre-charge命令，關閉當前open的行，然後再ras命令，最後cas命令完成操作。
所以memory controller主要使用兩種page策略，open page 和close page。open page，顧明思議，讀寫後不會立刻進行pre-charge，這種策略對連續地址讀寫方式更友好，但一旦出現page conflict，受到的影響就很明顯。而close page則是每次讀寫後立刻pre-charge，這樣每次到來的命令都是page miss，不會出現page conflict，對隨機讀寫更加友好。
一般來說，連續命令以連續地址操作較多，所以一般效能好最佳化好的memory controller采用open page方式的占多數，需要對命令進行重排序，再排程，保持同一地址的讀寫順序，pre-charge預測等等最佳化，還要采取對應的地址對映方式（這塊挺復雜，簡單的說，可以把collum地址對映到地址的低位，采用CS interleave，把bank group和bank地址對映到低位，bank group比bank更低為好），目的是增加page hit，減少page conflict。
close page方式是結構相對簡單的memory controller主要采用。所以連續地址讀寫和隨機地址讀寫的速度，根據memory controller采用的page策略有關，當然大部份是連續地址讀寫速度更快頻寬更高。
另外，從讀命令到寫命令所用切換時間比從寫到讀少，這是因為數據操作其實主要在buffer中進行，如果前一個是讀，讀命令不會影響數據，buffer中數據始終和open的行中數據保持一致，所以pre-charge的時候不需要把buffer中數據寫回行中。而寫命令會改變數據，需要一個寫回的過程。所以還盡量要減少寫到讀的切換，在保證正確讀寫順序的基礎上。
