才看到知乎上有人討論這個話題。之前有很多人介紹過單粒子效應的基本概念了，不再重復。在這裏澄清幾點：
1. Cisco 公告的摘要說，軟錯誤問題的可能原因是單粒子效應（single event effect），並沒有提到宇宙射線。我沒有cisco賬號，沒看到報告的全文，但猜測在全文裏也沒有提宇宙射線。對於地面套用，引起單粒子效應的輻射源，更有可能是芯片封裝材料裏的放射性同位素在alpha 衰變中放出的alpha粒子，而不是宇宙射線。在沒有充分證據的情況下怪罪老天，會遭天遣的。
2. 地面器材因為單粒子效應出現軟錯誤，並不是什麽新鮮事。2001年底，Sun 公司的 UltraSparc 高端伺服器出現無規律的當機，就是緩存芯片裏的軟錯誤造成的。等到幾個月後 Sun 公司找到原因並更開始換出問題的緩存時，這個事件已經對 Sun 的信譽造成了無可挽回的負面影響。2004年，Xilinx 公司的部份 FPGA 芯片也出過類似的單粒子效應問題。這兩次事件都是由於芯片封裝材料中的放射性同位素引起的，和宇宙射線沒啥關系。如下圖所示，出問題的 Xilinx FPGA 芯片采用了倒封裝工藝，Flip-Chip焊球距離晶片上的晶體管有源區只有幾個微米的距離。焊錫（鉛錫合金）中的微量放射性同位素會發生alpha衰變。例如，同位素釙210 （鉛210的衰變產物）會發射 5.3 MeV 的 alpha 粒子，並衰變成鉛206。這個alpha粒子會在電路中產生單粒子效應，引起軟錯誤。
來源：Xilinx White Paper 208 (2004)
3. 如果 Cisco 在調查後把錯誤原因歸結為放射性同位素引起的單粒子效應，那麽他們應當可以找到引發問題的芯片；然後該芯片的生產商應該可以找到發射過量alpha粒子的材料供應商——這才算找到根本原因了。如果有誰下載到 Cisco 的報告全文的話，可以看一下（我也有興趣看看）。
4. 當然，先進CMOS工藝的器件，其軟錯誤也有會有新的物理機制。例如，宇宙射線中的 mu 和 tau 粒子，穿透大氣的能力（相比中子）比較強，並且可能在 28nm 等先進工藝生產的芯片中引起單粒子翻轉。這個機制算是近年的一個研究熱點吧。如果 Cisco 在調查後發現這次軟錯誤事件是某種新機制造成的，那他們應該發論文仔細報道實驗和分析的細節。對此我就更有興趣了。
5. Cisco 在單粒子效應/軟錯誤領域的投入是很大的。花了很多錢，做了很多實驗，發了很多不錯的論文。他們說這次的軟錯誤問題是單粒子效應造成的，在沒看到報告全文之前，我暫且是相信他們的。但這次暴露出來的軟錯誤似乎太頻繁了，似乎超過了通常經驗中的軟錯誤率。這讓人懷疑Cisco是不是在設計中有所疏漏。當然，這只是猜測，有待分析。
6. 題主提到的beta射線和gamma射線，在一般的地面套用中可以忽略不計，和這次 Cisco 事件沒什麽關系。在空間套用中，通常比較關註 beta/gamma 射線對總劑量效應的貢獻，一般不考慮它們對軟錯誤的直接貢獻。其他輻射環境下的 beta/gamma 射線，有其他效應。這些課題比較小眾，就不展開講了。
