才看到知乎上有人讨论这个话题。之前有很多人介绍过单粒子效应的基本概念了，不再重复。在这里澄清几点：
1. Cisco 公告的摘要说，软错误问题的可能原因是单粒子效应（single event effect），并没有提到宇宙射线。我没有cisco账号，没看到报告的全文，但猜测在全文里也没有提宇宙射线。对于地面应用，引起单粒子效应的辐射源，更有可能是芯片封装材料里的放射性同位素在alpha 衰变中放出的alpha粒子，而不是宇宙射线。在没有充分证据的情况下怪罪老天，会遭天遣的。
2. 地面设备因为单粒子效应出现软错误，并不是什么新鲜事。2001年底，Sun 公司的 UltraSparc 高端服务器出现无规律的死机，就是缓存芯片里的软错误造成的。等到几个月后 Sun 公司找到原因并更开始换出问题的缓存时，这个事件已经对 Sun 的信誉造成了无可挽回的负面影响。2004年，Xilinx 公司的部分 FPGA 芯片也出过类似的单粒子效应问题。这两次事件都是由于芯片封装材料中的放射性同位素引起的，和宇宙射线没啥关系。如下图所示，出问题的 Xilinx FPGA 芯片采用了倒封装工艺，Flip-Chip焊球距离晶片上的晶体管有源区只有几个微米的距离。焊锡（铅锡合金）中的微量放射性同位素会发生alpha衰变。例如，同位素钋210 （铅210的衰变产物）会发射 5.3 MeV 的 alpha 粒子，并衰变成铅206。这个alpha粒子会在电路中产生单粒子效应，引起软错误。
来源：Xilinx White Paper 208 (2004)
3. 如果 Cisco 在调查后把错误原因归结为放射性同位素引起的单粒子效应，那么他们应当可以找到引发问题的芯片；然后该芯片的生产商应该可以找到发射过量alpha粒子的材料供应商——这才算找到根本原因了。如果有谁下载到 Cisco 的报告全文的话，可以看一下（我也有兴趣看看）。
4. 当然，先进CMOS工艺的器件，其软错误也有会有新的物理机制。例如，宇宙射线中的 mu 和 tau 粒子，穿透大气的能力（相比中子）比较强，并且可能在 28nm 等先进工艺生产的芯片中引起单粒子翻转。这个机制算是近年的一个研究热点吧。如果 Cisco 在调查后发现这次软错误事件是某种新机制造成的，那他们应该发论文仔细报道实验和分析的细节。对此我就更有兴趣了。
5. Cisco 在单粒子效应/软错误领域的投入是很大的。花了很多钱，做了很多实验，发了很多不错的论文。他们说这次的软错误问题是单粒子效应造成的，在没看到报告全文之前，我暂且是相信他们的。但这次暴露出来的软错误似乎太频繁了，似乎超过了通常经验中的软错误率。这让人怀疑Cisco是不是在设计中有所疏漏。当然，这只是猜测，有待分析。
6. 题主提到的beta射线和gamma射线，在一般的地面应用中可以忽略不计，和这次 Cisco 事件没什么关系。在空间应用中，通常比较关注 beta/gamma 射线对总剂量效应的贡献，一般不考虑它们对软错误的直接贡献。其他辐射环境下的 beta/gamma 射线，有其他效应。这些课题比较小众，就不展开讲了。
