内存每一个bank只有一个buffer，读写都要通过这个buffer来进行，这个buffer只能装载内存的一行，也叫page。
存在buffer中的行的状态称为page opened，而同一bank其他行的状态称为page closed。
如果到来的命令正好是访问当前open状态的行，那么这叫page hit，只需要一个cas命令(列选择，既读或者写）即可完成操作。
如果所有行处于close状态，这叫page miss，需要先发一个ras命令，也叫active命令，行选择。然后再发cas命令完成操作。
如果当前访问的行和open状态的行不是同一行，那么这叫page conflict。需要先发一个pre-charge命令，关闭当前open的行，然后再ras命令，最后cas命令完成操作。
所以memory controller主要使用两种page策略，open page 和close page。open page，顾明思议，读写后不会立刻进行pre-charge，这种策略对连续地址读写方式更友好，但一旦出现page conflict，受到的影响就很明显。而close page则是每次读写后立刻pre-charge，这样每次到来的命令都是page miss，不会出现page conflict，对随机读写更加友好。
一般来说，连续命令以连续地址操作较多，所以一般性能好优化好的memory controller采用open page方式的占多数，需要对命令进行重排序，再调度，保持同一地址的读写顺序，pre-charge预测等等优化，还要采取对应的地址映射方式（这块挺复杂，简单的说，可以把collum地址映射到地址的低位，采用CS interleave，把bank group和bank地址映射到低位，bank group比bank更低为好），目的是增加page hit，减少page conflict。
close page方式是结构相对简单的memory controller主要采用。所以连续地址读写和随机地址读写的速度，根据memory controller采用的page策略有关，当然大部分是连续地址读写速度更快带宽更高。
另外，从读命令到写命令所用切换时间比从写到读少，这是因为数据操作其实主要在buffer中进行，如果前一个是读，读命令不会影响数据，buffer中数据始终和open的行中数据保持一致，所以pre-charge的时候不需要把buffer中数据写回行中。而写命令会改变数据，需要一个写回的过程。所以还尽量要减少写到读的切换，在保证正确读写顺序的基础上。
