一般来说IC老化是四种现象之一:NBTI (negative-bias temperature instability), HCI (hot carrier injection), EM (electron migration) 和TDDB (time-dependent dielectric breakdown)。其中NBTI和HCI主要导致速度的缓慢降低,EM和TDDB主要导致随机的崩溃性失效。
其中EM很好解释,金属导线中的原子被电流带着不知跑到什么地方去。这个效应一会导致导线在缺损处逐渐变细最终断裂,二会导致跑掉的原子在别处堆积生成dendrite,然后dentrite长着长着就长到别的导线上面去了,结果就是线间短路。可以看出两个效应基本一发生就没得挽救了,要对付EM主要靠预防,比如说想法不要造出缺陷来,做线的时候宽一点。但是在设计条件下,正常设计数十亿门,导线如恒河沙数,要保证这个人力有时不及。