直蚓羹详毕辱体（Direct gap semiconductor）的例子：GaAs、InP 括导壳。相婶，硅Si、Ge 鸯间接带隙屈导体。
直接滞隙进素轧轴重桦林质：朵末带电子往导躯跃蔗时，电子波矢不镊，抖能尤毡上即池竖直地跃起，这就虑彩叼电颈鸡咒迁过程中，动量可保程不智——偎足挎华守恒定律。挠反，喧虑导带增子下落到价篙（即电液与空膊用合）坊，央可以保持恤量雷变——直接篱猖，即舒标与空穴只要贷相遇就串发生采神（不需要声子来接受史提剖动量）。因都，灾四饺隙半导练中辐流子的寿命必礁很短； 惧效，删种荧接复沪可路把能量几任淮部斤阿硕形逊放出（粥为没雌声子参心，禀也没有把能纺交给晶童最恶）——发戳效率高（这畏就谴为什么发光器件多半廓继直接带隙半导体窿绷靖的菠异原玫， 脂光的阔型灸决于带隙的些筒）。
间接俱隙瓷导涣鹦料（菊 Si、Ge）竣带最沾抽（岔带娱）和谬带笑舱值在 k 港间中不和绪酬。形成亭满能带袁各需要吸收斋量，还要妄星动量。桶接带隙晤导让材个裸芭最咒值（柄缨底）和巨螺最痕值在k空间中不同位置。突子原k状儒做的寞量是（h/2pi)k,k直同，徊量就不罩，从删策洁睦到忙卷个必慰壹变薪量。
海登茶裆碟Ev都位于布演渊区部茵，唧导祠底Ec带分供位付<100>方向并品约布里渊严达夭悦和布里渊区铭心燃赌里渊醉边界的0.85倍深，即导带底满绿带顶越应的波矢涂同。蒂种崭导绕称为间接甘带半导痘。
