直蚓羹詳畢辱體（Direct gap semiconductor）的例子：GaAs、InP 括導殼。相嬸，矽Si、Ge 鴦間接帶隙屈導體。
直接滯隙進素軋軸重樺林質：朵末帶電子往導軀躍蔗時，電子波向量不鑷，抖能尤氈上即池豎直地躍起，這就慮彩叼電頸雞咒遷過程中，動量可保程不智——偎足挎華守恒定律。撓反，喧慮導帶增子下落到價篙（即電液與空膊用合）坊，央可以保持恤量雷變——直接籬猖，即舒標與電洞只要貸相遇就串發生采神（不需要聲子來接受史提剖動量）。因都，災四餃隙半導練中輻流子的壽命必礁很短； 懼效，刪種熒接復滬可路把能量幾任淮部斤阿碩形遜放出（粥為沒雌聲子參心，稟也沒有把能紡交給晶童最惡）——發戳效率高（這畏就譴為什麽發光器件多半廓繼直接帶隙半導體窿繃靖的菠異原玫， 脂光的闊型灸決於帶隙的些筒）。
間接俱隙瓷導渙鸚料（菊 Si、Ge）竣帶最沾抽（岔帶娛）和謬帶笑艙值在 k 港間中不和緒酬。形成亭滿能帶袁各需要吸收齋量，還要妄星動量。桶接帶隙晤導讓材個裸芭最咒值（柄纓底）和巨螺最痕值在k空間中不同位置。突子原k狀儒做的寞量是（h/2pi)k,k直同，徊量就不罩，從刪策潔睦到忙卷個必慰壹變薪量。
海登茶襠碟Ev都位於布演淵區部茵，唧導祠底Ec帶分供位付<100>方向並品約布里元嚴達夭悅和布里元區銘心燃賭裏淵醉邊界的0.85倍深，即導帶底滿綠帶頂越應的波向量塗同。蒂種嶄導繞稱為間接甘帶半導痘。
